h1_key

类型

描述

Ciss

2200 pF, 780 pF

Coss

390 pF, 1300 pF

最高 ID (@25°C)

50 A, 50 A

最高 IDpuls

160 A

最高 Ptot

2.5 W, 2.5 W

QG (typ @4.5V)

15 nC, 5.6 nC

最高 RDS (on) (@4.5V)

1.7 mΩ, 4 mΩ

最高 RDS (on) (@4.5V LL)

4 mΩ, 1.7 mΩ

最高 RDS (on) (@10V)

3 mΩ, 1.2 mΩ

最高 RthJA

50 K/W

Rth

4.3 K/W, 2.2 K/W

最高 VDS

25 V, 25 V

VGS(th) 范围

1.2 V 至 2 V

VGS(th)

1.6 V

封装

Power Block 5x6

工作温度 范围

-55 °C 至 150 °C

极性

N+N

特殊功能

Logic Level, Monolithically Integrated Schottky-like Diode

预算价格€/1k

0.73