Infineon英飞凌_BSD840N_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BSD840N 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

低 RDS(on)，高效率
小型封装节省 PCB 空间
一流的质量和可靠性

特性

增强模式
超逻辑电平
雪崩额定值
快速开关
dv/dt 额定值

无铅镀铅

符合 RoHS 标准，无卤素

符合汽车标准

支持 PPAP

应用

汽车二次配电单元, 门控模块, 车载充电器（OBC）, 医疗保健

参数

类型	描述
Ciss	55 pF
Coss	25 pF
最高 ID (@25°C)	0.88 A
最高 IDpuls	3.5 A
最高 Ptot	0.5 W
最高 QG (typ @4.5V)	0.26 nC
最高 RDS (on) (@2.5V)	400 mΩ
最高 RDS (on) (@1.8V)	560 mΩ
最高 RDS (on)	400 mΩ
最高 RthJA	250 K/W
最高 VDS	20 V
VGS(th) 范围	0.3 V 至 0.75 V
VGS(th)	0.55 V
封装	SOT-363 dual
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
极性	N+N
特殊功能	Dual
预算价格€/1k	0.05

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BSD840N

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4000-306-326