Infineon英飞凌_BSL806N_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BSL806N 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

紧凑型设计
采用 1.8V V_GS
环保
符合汽车标准

特性

双 N 沟道
超逻辑电平
无铅电镀；符合 RoHS 要求
符合 AEC Q101 要求

参数

类型	描述
Ciss	370 pF
Coss	118 pF
最高 ID (@25°C)	2.3 A
最高 IDpuls	9.3 A
最高 Ptot	0.5 W
最高 QG (typ @4.5V)	1.7 nC
最高 RDS (on) (@1.8V)	82 mΩ
最高 RDS (on) (@2.5V)	57 mΩ
最高 RDS (on)	57 mΩ
最高 RthJA	250 K/W
最高 VDS	20 V
VGS(th) 范围	0.3 V 至 0.75 V
VGS(th)	0.55 V
安装	SMD
封装	TSOP-6 dual
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
引脚数量	6 Pins
极性	N+N
模式	Enhancement
特殊功能	Dual
预算价格€/1k	0.12

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BSL806N

英飞凌的小信号 MOSFET 具有最佳的性价比和小尺寸封装，最适合各种空间受限的应用和电路。由于该产品符合 AEC Q101 汽车标准，因此该 N 沟道 MOSFET 非常适合汽车和其他质量关键产品。

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特性

参数

4000-306-326