Infineon英飞凌_BSD223P_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BSD223P 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

低 RDS(on)，效率高
小型封装节省 PCB 空间
一流的质量和可靠性

特性

增强模式
超级逻辑电平
雪崩额定值
快速开关
dv/dt 额定值

无铅镀铅

符合 RoHS 标准，无卤素

符合 AEC Q101 要求

参数

类型	描述
Ciss	45 pF
Coss	21 pF
最高 ID (@25°C)	0.39 A
最高 IDpuls	-1.56 A
最高 Ptot	0.25 W
QG	-0.5 nC
最高 RDS (on) (@2.5V)	2100 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	1200 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V LL)	1200 mΩ
Rth	500 K/W
最高 VDS	-20 V
最低 VGS(th)	-0.6 V
VGS(th)	-0.9 V
最高 VGS(th)	-1.2 V
安装	SMD
封装	SOT-363
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
引脚数量	6 Pins
极性	P+P
模式	Enhancement
特殊功能	Dual
预算价格€/1k	0.05

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BSD223P

英飞凌高度创新的 OptiMOS ™系列包括 p 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电源系统设计关键规格（例如导通电阻和品质因数特性）的最高质量和性能要求。

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特性

参数

4000-306-326