Infineon英飞凌_IRF7324_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRF7324 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

符合 RoHS 规范
低 R_DS(on)
薄型（小于 1.1 毫米）
双 P 沟道 MOSFET

应用

燃料电池控制单元 (FCCU)

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	-9 A
最高 Ptot (@ TA=25°C)	2 W
Qgd (typ)	12 nC
QG (typ @4.5V)	42 nC
最高 RDS (on) (@4.5V)	18 mΩ
最高 RthJA	62.5 K/W
最高 Tj	150 °C
最高 VDS	-20 V, 20 V
VGS(th) 范围	-0.45 V 至 -1 V
VGS(th)	-0.73 V
最高 VGS	12 V
封装	SO-8
极性	P+P
湿度敏感等级	1
预算价格€/1k	0.43

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IRF7324

IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。

产品详情

应用

参数

4000-306-326