Infineon英飞凌 IRF7530 产品介绍
2026-04-14
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产品详情
- 增强的坚固性
- 分销合作伙伴广泛供应
- 行业标准资质水平
- 低频应用中的高性能
- 紧凑的外形
特性
- 适用于宽 SOA 的平面单元结构
- 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
- 产品符合 JEDEC 标准
- 针对低于 <100kHz 开关应用进行了硅优化
- 薄型封装(小于 1.1 毫米)
参数
类型 | 描述 |
最高 ID (@25°C) | 5.4 A |
最高 Ptot (@ TA=25°C) | 1.3 W |
Qgd (typ) | 3.4 nC |
QG (typ @4.5V) | 18 nC |
最高 RDS (on) (@4.5V) | 30 mΩ |
最高 RthJA | 100 K/W |
最高 Tj | 150 °C |
最高 VDS | 20 V |
VGS(th) 范围 | 0.6 V 至 1.2 V |
VGS(th) | 0.9 V |
最高 VGS | 12 V |
封装 | Micro8 (MO-187) |
工作温度 范围 | -55 °C 至 150 °C |
极性 | N+N, N+N |
湿度敏感等级 | 1 |
预算价格€/1k | 0.3 |



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