Infineon英飞凌 IRF7509 产品介绍
2026-04-14
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产品详情
- 增强坚固性
- 分销渠道广泛
- 行业标准资质水平
- 高性能、低频率
- 紧凑的外形
特性
- 适用于宽 SOA 的平面单元结构
- 针对最广泛的可用性进行了优化
- 符合 JEDEC 的产品认证
- 针对应用进行了硅优化
- 薄型封装(小于 1.1 毫米)
参数
类型 | 描述 |
最高 ID (@25°C) | 2.7 A, -2 A |
最高 Ptot (@ TA=25°C) | 1.25 W |
Qgd (typ) | 2.5 nC, 2.5 nC |
QG (typ @10V) | 7.5 nC, 7.8 nC |
最高 RDS (on) (@10V) | 110 mΩ, 200 mΩ |
最高 RDS (on) (@4.5V) | 175 mΩ, 400 mΩ |
最高 RthJA | 100 K/W |
最高 Tj | 150 °C |
最高 VDS | -30 V, 30 V |
最低 VGS(th) | -1 V, 1 V |
最高 VGS | 20 V |
封装 | Micro8 (MO-187) |
极性 | N+P |
湿度敏感等级 | 1 |
预算价格€/1k | 0.16 |



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