Infineon英飞凌_IRF7380_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRF7380 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

符合 RoHS 标准
全面表征雪崩电压和电流
低栅极-漏极电荷，可降低开关损耗
全面表征电容（包括有效电容），可简化设计
双 N 沟道 MOSFET

应用

消费类电子产品

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	3.6 A
最高 Ptot (@ TA=25°C)	2 W
Qgd (typ)	4.5 nC
QG (typ @10V)	15 nC
最高 RDS (on) (@10V)	73 mΩ
最高 RthJA	50 K/W
最高 Tj	150 °C
最高 VDS	80 V
VGS(th) 范围	2 V 至 4 V
VGS(th)	3 V
最高 VGS	20 V
封装	SO-8
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
极性	N+N
湿度敏感等级	1
预算价格€/1k	0.31

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IRF7380

IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。

产品详情

应用

参数

4000-306-326