Infineon英飞凌_IRF9910_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRF9910 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

符合 RoHS 规定
4.5V VGS 时 RDS(ON) 较低
极低的栅极电荷
全面表征雪崩电压和电流
双 N 沟道 MOSFET

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	12 A, 10 A
最高 Ptot (@ TA=25°C)	2 W
QG (typ @4.5V)	15 nC, 7.4 nC
最高 RDS (on) (@10V)	13.4 mΩ, 9.3 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	18.3 mΩ, 11.3 mΩ
最高 RthJA	62.5 K/W
最高 Tj	150 °C
最高 VDS	20 V
VGS(th) 范围	1.65 V 至 2.55 V
VGS(th)	2.1 V
最高 VGS	20 V
封装	SO-8
极性	N+N, N+N
湿度敏感等级	1

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