Infineon英飞凌_IRF9389_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRF9389 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

广泛分布
行业标准资质水平
标准引脚排列，直接替换
高性能，低频率

特性

针对最广泛的可用性进行了优化
产品符合 JEDEC 认证
行业标准表面贴装封装
针对开关频率 <100kHz

进行了硅片优化

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	-4.6 A, 6.8 A
最高 Ptot (@ TA=25°C)	2 W
Qgd (typ)	2.1 nC, 0.98 nC
QG (typ @10V)	8.1 nC, 6.8 nC
最高 RDS (on) (@10V)	64 mΩ, 27 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	103 mΩ, 40 mΩ
最高 RthJA	62.5 K/W
最高 Tj	150 °C
最高 VDS	30 V
VGS(th) 范围	1.3 V 至 2.3 V, -1.3 V 至 -2.3 V
VGS(th)	1.8 V, -1.8 V
最高 VGS	20 V
封装	SO-8
极性	N+P
湿度敏感等级	1
预算价格€/1k	0.14

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IRF9389

StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

产品详情

特性

参数

4000-306-326

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IRF9389

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