Infineon英飞凌_BSZ15DC02KD H_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BSZ15DC02KD H 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

互补 P + N 沟道
增强模式
雪崩额定值
符合 AEC Q101 要求
100% 无铅；符合 RoHS 标准

应用

汽车车身控制模块 (BCM), 底盘控制与安全, 电动制动助力器, 电动助力转向 (EPS)

参数

类型	描述
Ciss	315 pF, 270 pF
Coss	114 pF, 110 pF
最高 ID (@25°C)	3.2 A, 5.1 A
最高 IDpuls	20 A, -13 A
最高 Ptot	2.5 W
最高 QG (typ @4.5V)	3 nC
最高 RDS (on) (@4.5V)	55 mΩ, 150 mΩ
最高 RthJA	60 K/W
最高 RthJC	8 K/W
Rth	8 K/W
最高 VDS	20 V, -20 V
VGS(th) 范围	-1.4 V 至 -0.7 V, 0.8 V 至 1.4 V
安装	SMD
封装	PQFN 3.3 x 3.3
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
引脚数量	8 Pins
极性	N+P
模式	Enhancement
预算价格€/1k	0.39

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BSZ15DC02KD H

互补功率 MOSFET（同一封装内的 n 沟道和 p 沟道功率 MOSFET）是英飞凌著名的低压 OptiMOS ™系列的一部分，该系列是高效发电解决方案的市场领导者（例如太阳能微型逆变器）、电源（例如服务器和电信）和功耗（例如电动汽车

特性

应用

参数

4000-306-326