Infineon英飞凌_BSZ0909ND_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BSZ0909ND 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

低开关损耗
高开关频率操作
最低寄生效应
低工作温度
低栅极驱动损耗
RoHS 6/6 无铅产品

特性

超低 Q _g
小型 3.0x3.0mm² 对称半桥封装外形
裸露焊盘
逻辑电平（额定电压 4.5V）
符合 RoHS 标准的 6/6（全无铅）

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	20 A
最高 IDpuls	40 A
最高 Ptot	17 W
Qgd	0.5 nC
QG (typ @10V)	3.7 nC
QG (typ @4.5V)	1.8 nC
最高 RDS (on) (@10V)	18 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	25 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V LL)	25 mΩ
最高 RthJA	180 K/W
最高 RthJC	7.5 K/W
Rth	7.5 K/W
最高 VDS	30 V
VGS(th) 范围	1.2 V 至 2 V
VGS(th)	1.6 V
安装	SMD
封装	Symmetrical Dual 3x3
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
极性	N+N
模式	Enhancement
预算价格€/1k	0.4

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BSZ0909ND

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