Infineon英飞凌_IRFI4212H-117P_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRFI4212H-117P 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

零件数量减少 50%，PCB 布局更简便
半桥式，每通道 50W
高效率和 THD
低 EMI
环保

特性

集成半桥封装
针对 D 类放大器优化的关键参数
低 R_DS(ON)、Qg 和 Qsw
低 Qrr，可实现更佳的 THD
无铅封装

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	11 A
最高 Ptot (@ TA=25°C)	18 W
Qgd (typ)	6.2 nC
QG (typ @10V)	12 nC
最高 RDS (on) (@10V)	72.5 mΩ
最高 RthJA	65 K/W
最高 Tj	150 °C
最高 VDS	100 V
VGS(th) 范围	3 V 至 5 V
VGS(th)	4 V
最高 VGS	20 V
封装	TO-220 FullPAK
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
极性	N+N
预算价格€/1k	0.69

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IRFI4212H-117P

StrongIRFET ™功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。该设备非常适合需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合涵盖广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和直流-直流转换器。

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参数

4000-306-326