Infineon英飞凌_IRF40H233_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRF40H233 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
额定结温 175°C
100% UL 测试
根据 JEDEC 标准进行产品验证
无铅；符合 RoHS 标准；无卤素

参数

类型	描述
最高 ID (@ TC=25°C)	35 A
Qgd	16 nC
最高 QG (typ @10V)	35 nC, 45 nC
最高 RDS (on) (@10V)	6.2 mΩ
最高 RthJC	45 K/W
最高 Tj	175 °C
最高 VDS	40 V
最高 VGS(th)	3.9 V
VGS(th)	2.2 V
安装	SMD
封装	SuperSO8 5x6
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N+N

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IRF40H233

英飞凌最新的 40 V StrongIRFET ™双 N 沟道功率 MOSFET 专为电池管理和电机控制应用而设计，如有刷电机、BLDC 电机、步进电机和伺服电机。

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4000-306-326