Infineon英飞凌_BSO615C G_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BSO615C G 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

互补 p+n 沟道
增强模式
雪崩额定值
符合 AEC Q101 要求
100% 无铅；
符合 RoHS 标准

参数

类型	描述
Ciss	365 pF, 300 pF
Coss	90 pF, 105 pF
最高 ID (@25°C)	-2 A, 3.1 A
最高 IDpuls	-8 A, 12.4 A
最高 Ptot	2 W
QG (typ @10V)	15 nC, 13.5 nC
最高 RDS (on) (@4.5V LL)	450 mΩ, 150 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	450 mΩ, 150 mΩ
最高 RDS (on) (@10V)	110 mΩ, 300 mΩ
最高 RthJA	62.5 K/W
最高 VDS	-60 V, 60 V
VGS(th) 范围	-1 V 至 -2 V, 1.2 V 至 2 V
VGS(th)	1.6 V
安装	SMT
封装	SO-8
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
引脚数量	8 Pins
极性	N+P
模式	Enhancement
预算价格€/1k	0.34

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BSO615C G

互补功率 MOSFET（同一封装内的 n 沟道和 p 沟道功率 MOSFET）是英飞凌著名的低压 OptiMOS ™系列的一部分，该系列是高效发电解决方案的市场领导者（例如太阳能微型逆变器）、电源（例如服务器和电信）和功耗（例如电动汽车

特性

参数

4000-306-326