h1_key

当前位置:首页 >新闻资讯 > 产品资讯>英飞凌>Infineon英飞凌 TLE4207G 产品介绍

TLE4207G

现货,推荐

英飞凌 DOPL 技术为内置高压部分供电。执行器(直流电机)直接连接到半桥。模式:前进、后退、制动、高阻抗。电源PG-DSO-14-22封装节省空间和成本。功能包括诊断、电压锁定、短路保护、过热保护、低待机电流。非常适合汽车和工业应用。

Infineon英飞凌 TLE4207G 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 易于使用
  • 成熟的技术

特性


  • 提供高达 0.8 A 的连续电流
  • 针对直流电机管理进行了优化
  • 极低的电流消耗
  • 低饱和电压
  • 输出具有短路保护
  • 错误标志诊断
  • 欠压锁定
  • CMOS/TTL 兼容 i/ps,具有滞后功能
  • 无交叉电流
  • 内部钳位二极管
  • 过温保护

应用


汽车车身控制模块 (BCM)

参数


类型

描述

MCU

No

Power Stage

Yes

分类

QM, QM

电源电压绝对最大额定值

18 V

目前计划的可用性至少到

2038, 2038

认证标准

Automotive

最低 过流检测

0.8 A

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 211次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 277次
  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 265次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 328次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
    10s
    温馨提示:
    订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
    返回顶部