Infineon英飞凌_ISC019N10NM8SC_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 ISC019N10NM8SC 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

系统效率高
卓越的功率处理能力
高功率密度设计
可靠性更高
更长的使用寿命

特性

极低的导通电阻R_DS(on)
高额定漏极电流ID
阈值电压V_GS(th)分布范围窄
体二极管恢复特性柔和，反向恢复电荷Q_rr>低
100% 雪崩测试
无铅引脚镀层；符合 RoHS 指令
符合IEC61249-2-21标准的无卤素要求
符合 J-STD-020 标准，湿敏等级 MSL 1
N 沟道，标准电平驱动

应用

多旋翼飞机和无人机, 电动工具, 人形机器人, 马达控制

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	245 A
最高 IDpuls	980 A
最高 Ptot	268 W
QG (typ @10V)	106 nC
最高 RDS (on) (@10V)	1.95 mΩ
最高 VDS	100 V
VGS(th) 范围	2.4 V 至 3.2 V
VGS(th)	2.8 V
封装	SuperSO8 5x6 DSC
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
特殊功能	Dual-Side Cooling

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ISC019N10NM8SC

采用 SuperSO8 DSC 封装的 OptiMOS™ 8 功率 MOSFET具有双面散热封装的所有热管理优势，同时符合行业标准封装。

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应用

参数

4000-306-326