Infineon英飞凌_ISC320N12LM6_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 ISC320N12LM6 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

极低的导通电阻
极低的反向恢复电荷
出色的栅极电荷 x R_DS(on)
高雪崩能量额定值
175°C 结温额定值
无铅电镀
符合 RoHS 标准
无卤素
MSL1 级别

特性

与 OptiMOS ™相比，该技术特点如下：
R_DS(on) 提高高达 40%
FOM_g
Q_rr 提高高达 50%

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	24 A
最高 IDpuls	96 A
QG (typ @4.5V)	4.1 nC
QG (typ @10V)	7.6 nC
最高 RDS (on) (@10V)	32 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	44 mΩ
最高 VDS	120 V
VGS(th) 范围	1.2 V 至 2.2 V
VGS(th)	1.7 V
封装	SuperSO8 5x6
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
特殊功能	Logic Level
预算价格€/1k	0.31

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ISC320N12LM6

这是采用 SuperSO8 封装的逻辑电平 120 V MOSFET，导通电阻为 32 mOhm。ISC320N12LM6 是英飞凌 OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 系列的一部分。

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特性

参数

4000-306-326