Infineon英飞凌_ISC110N12NM6_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 ISC110N12NM6 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

极低的导通电阻
极低的反向恢复电荷
出色的栅极电荷 x R_DS(on)
高雪崩能量额定值
175°C 结温额定值
无铅电镀
符合 RoHS 标准
无卤素
MSL1 级别

特性

与 OptiMOS ™相比，该技术特点如下：
R_DS(on) 提高高达 40%
FOM_g
Q_rr 提高高达 50%

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	62 A
最高 IDpuls	248 A
QG (typ @10V)	15.4 nC
最高 RDS (on) (@10V)	11 mΩ
最高 VDS	120 V
VGS(th) 范围	2.6 V 至 3.6 V
VGS(th)	3.1 V
封装	SuperSO8 5x6
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
预算价格€/1k	0.5

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ISC110N12NM6

这是 SuperSO8 封装的普通级 120 V MOSFET，导通电阻为 11 mOhm。ISC110N12NM6 是英飞凌 OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 系列的一部分。

产品详情

特性

参数

4000-306-326