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Infineon英飞凌 IPB175N20NM6 产品介绍
2026-04-14
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产品详情
- 低导通损耗和开关损耗
- 运行稳定，EMI 得到改善
- 并联时实现更好均流
- 增强的稳健性
- 系统可靠性更高
特性
- 200 V 下业界最低的 RDS(on)
- 200 V 下业界最低的 Qrr
- 与上一代产品相比，RDS(on) 降低高达 42％
- 与上一代产品相比，Qrr(typ) 降低高达 89%
- 与上一代产品相比，FOM 降低 36%
- >比上一代二极管软 3 倍
- 改善电容线性度
- 与上一代相比，SOA 有所改进
- Vgs(th) 的精确分布范围为 +/-750 mV
- 高雪崩强度
- 最大 Tj 为 175°C 并且 MSL1
应用
音频放大器解决方案, 可再生能源, 工业和消费类BMS, 马达控制, 开关模式电源（SMPS）
参数
类型 | 描述 |
最高 ID (@25°C) | 61 A |
最高 IDpuls | 244 A |
QG (typ @10V) | 31 nC |
QG | 31 nC |
最高 RDS (on) (@10V) | 17.5 mΩ |
最高 RDS (on) | 17.5 mΩ |
最高 VDS | 200 V |
VGS(th) 范围 | 3 V 至 4.5 V |
VGS(th) | 3.7 V |
封装 | D2PAK (TO-263) |
工作温度 范围 | -55 °C 至 175 °C |
极性 | N |
