Infineon英飞凌_ISC300N20NM6_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 ISC300N20NM6 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

Low conduction and switching losses
Stable operation with improved EMI
Better current sharing when paralleling
Enhanced robustness
Improved system reliability

特性

Industries lowest R_DS(on) in 200 V
Industries lowest Q_rr in 200 V
Compared to previous 200 V technology
Up to 42 % lower R_DS(on)
Up to 89% lower Q_rr(typ)
36% lower FOM_g
More than 3 times softer diode
Improved capacitance linearity
Improved SOA
Tight V_gs(th) spread of +/-750 mV
High avalanche ruggedness
Max Tj of 175°C and MSL1

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	44 A
最高 IDpuls	176 A
QG (typ @10V)	17 nC
最高 RDS (on) (@10V)	30 mΩ
最高 VDS	200 V
VGS(th) 范围	3 V 至 4.5 V
VGS(th)	3.7 V
封装	SuperSO8 5x6
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N

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ISC300N20NM6

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