Infineon英飞凌 BSC110N15NS5SC 产品介绍
2026-04-14
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产品详情
- 低损耗,高系统效率
- 改善散热
- 卓越的功率处理能力和更长的使用寿命
- 直接替换 SuperSO8 和 PQFN 5x6
特性
- 高性能硅技术
- 低顶部 RthJC (0.72 K/W)
- 封装额定 TJmax=175ºC
- 行业标准尺寸
- 兼容 SuperSO8 和 PQFN 5x6
应用
电信基础设施
参数
类型 | 描述 |
最高 ID (@25°C) | 77 A |
最高 IDpuls | 308 A |
最高 Ptot | 150 W |
QG (typ @10V) | 28 nC |
最高 RDS (on) (@10V) | 11 mΩ |
最高 VDS | 150 V |
VGS(th) 范围 | 3 V 至 4.6 V |
VGS(th) | 3.8 V |
封装 | SuperSO8 5x6 DSC |
工作温度 范围 | -55 °C 至 175 °C |
极性 | N |
特殊功能 | Dual-Side Cooling |
预算价格€/1k | 1.53 |



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