Infineon英飞凌_IPF019N12NM6_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPF019N12NM6 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

极低的导通电阻
极低的反向恢复电荷
优异的栅极电荷 x RDS(on)
高雪崩能量额定值
175°C 结温额定值
无铅电镀
符合 RoHS 标准
无卤素
MSL1 级别

特性

RDS(on) 提升高达 58%
FOMg 提升高达 66%
Qrr 提升高达 90%
FOMoss 提升高达 35%
与排名第二的替代方案相比，该技术具有以下特点：
RDS(on) 提升高达 51%
FOMg 提升高达 35%
Qrr 提升高达 6%
FOMoss 提升高达 45%

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	254 A
最高 IDpuls	1016 A
最高 Ptot	395 W
QG (typ @10V)	113 nC
最高 RDS (on) (@10V)	1.9 mΩ
最高 VDS	120 V
VGS(th) 范围	2.6 V 至 3.6 V
封装	D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
预算价格€/1k	2.59

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IPF019N12NM6

这是 D²PAK-7 引脚封装的正常级别 120 V MOSFET，导通电阻为 1.9 mOhm。IPF019N12NM6 是英飞凌 OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 系列的一部分。

产品详情

特性

参数

4000-306-326