Infineon英飞凌_IPB085N15NM6_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPB085N15NM6 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

低传导和开关损耗
运行稳定，EMI 得到改善
并联时实现更好的电流共享
增强稳健性
提高系统可靠性

特性

FOM_g 比 OptiMOS ™ 5 低 20%
150 V 下业界最低的 Q_rr
与 OptiMOS ™ 5 相比，二极管软度得到改善
V_gs(th) 严格控制在 +/-500 mV 范围内
高雪崩强度
最大 T_j 为 175°C 和 MSL1

应用

轻型电动车解决方案, 电动工具, 马达控制

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	90 A
QG (typ @10V)	29 nC
最高 RDS (on) (@10V)	8.5 mΩ
最高 VDS	150 V
VGS(th) 范围	3 V 至 4 V
VGS(th)	3.5 V
封装	D2PAK (TO-263)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N

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IPB085N15NM6

IPB085N15NM6 利用 OptiMOS ™ 6 150 V 无与伦比的性能和稳健性，成为传统 StrongIRFET ™和 OptiMOS ™ 3 150 V 产品的合适替代品。 OptiMOS ™ 6 150 V 技术旨在满足硬开关和软开关中高和低开关频率应用的要求。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326