Infineon英飞凌_IPTG039N15NM5_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPTG039N15NM5 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

高性能
高系统可靠性
高效率和低 EMI
优化电路板利用率
高热循环电路板处理

特性

一流的技术
高额定电流
低振铃和电压过冲
电路板空间减少 60%
Gullwing 引线

应用

不间断电源 (UPS)

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	190 A
最高 ID	190 A
最高 IDpuls	760 A
最高 Ptot	319 W
QG (typ @10V)	74 nC
QG	74 nC
最高 RDS (on) (@10V)	3.9 mΩ
最高 RDS (on)	3.9 mΩ
最高 VDS	150 V
VGS(th) 范围	3 V 至 4.6 V
VGS(th)	3.8 V
封装	TOLG (HSOG-8)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
蓄电池电压	72-96 V
预算价格€/1k	2.54

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IPTG039N15NM5

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 150 V IPTG039N15NM5 采用改进的 TO 引线封装，带有鸥翼形引线。TOLG 的封装尺寸与 TO-Leadless 兼容，与 D2PAK 7 引脚相比，其电气性能出色，电路板空间减少约 60%，RDS(on) 非常低，并且针对处理大电流进行了优化。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326