Infineon英飞凌_IPT030N12N3 G_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPT030N12N3 G 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

高功率密度，改善散热
所需电路板空间更小
高效率，减少并联

特性

紧凑型封装，低导通电阻 _DS(on)
<比 D²PAK 7 引脚小 60%
非常适合 72V 电池供电设备

应用

轻型电动车解决方案, 电源适配器和充电器, 无线电动工具, 微型逆变器解决方案

参数

类型	描述
最高 ID	237 A
最高 ID (@25°C)	237 A
最高 IDpuls	948 A
最高 Ptot	375 W
QG (typ @10V)	158 nC
最高 RDS (on)	3 mΩ
最高 RDS (on) (@10V)	3 mΩ
最高 VDS	120 V
VGS(th) 范围	2 V 至 4 V
VGS(th)	3 V
安装	SMT
封装	TOLL (HSOF-8)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
引脚数量	8 Pins
极性	N
蓄电池电压	48-72 V
预算价格€/1k	2.4

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IPT030N12N3 G

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4000-306-326