Infineon英飞凌_IQE220N15NM5CG_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IQE220N15NM5CG 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

最高的功率密度和性能
卓越的热性能
高效利用空间
中心栅极可实现理想的并行化
改善 PCB 损耗
减少寄生效应

特性

R_DS(on) 为 22 毫欧姆
与 PQFN 封装相比，R_thJC 更佳
可提供中心栅极封装
全新、优化的布局可能性

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	44 A
最高 IDpuls	176 A
最高 Ptot	100 W
QG (typ @10V)	14.6 nC
最高 RDS (on) (@10V)	22 mΩ
最高 VDS	150 V
VGS(th) 范围	3 V 至 4.6 V
VGS(th)	3.8 V
封装	PQFN 3.3x3.3 Source-Down
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
预算价格€/1k	0.9

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IQE220N15NM5CG

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