Infineon英飞凌_IPM018N10NM5LF2_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPM018N10NM5LF2 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

8x8 mm2 内最高功率密度
低传导损耗
坚固的线性模式操作
更好的电流共享
改进了栅极驱动器兼容性

特性

8 毫米 x 8 毫米尺寸
宽安全操作区 (SOA)
超低导通电阻
更低的漏电流
优化传输特性

应用

电信基础设施, 电池管理系统（BMS）, 服务器电源解决方案

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	285 A
QG (typ @10V)	142 nC
最高 RDS (on) (@10V)	1.85 mΩ
最高 VDS	100 V
VGS(th) 范围	2.85 V 至 3.45 V
VGS(th)	3.15 V
封装	mTOLG (8x8)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
特殊功能	Wide SOA

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IPM018N10NM5LF2

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