Infineon英飞凌_IPB035N10NF2S_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPB035N10NF2S 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

多供应商兼容性
合适的产品
支持多种应用程序
标准引脚排列，可直接替换
提高载流能力
易于制造

特性

广泛分布
卓越的性价比
适合高和低开关频率
行业标准通孔封装
高额定电流
可进行波峰焊

应用

轻型电动车解决方案, 电源适配器和充电器, 电池管理系统（BMS）, 马达控制, 开关模式电源（SMPS）, 不间断电源 (UPS)

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	151 A
QG (typ @10V)	69 nC
最高 RDS (on) (@10V)	3.5 mΩ
最高 VDS	100 V
VGS(th) 范围	2.2 V 至 3.8 V
VGS(th)	3 V
封装	D2PAK (TO-263)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N

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IPB035N10NF2S

英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 100 V 具有 3.5 mOhm 的低 RDS(on)，可满足从低开关频率到高开关频率的广泛应用。此外，与 IPB042N10N3 G 相比，它旨在成为具有更好性价比的产品。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326

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IPB035N10NF2S

英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 100 V 具有 3.5 mOhm 的低 RDS(on)，可满足从低开关频率到高开关频率的广泛应用。 此外，与 IPB042N10N3 G 相比，它旨在成为具有更好性价比的产品。

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