Infineon英飞凌_IPB021N10NM5LF2_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPB021N10NM5LF2 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

坚固的线性模式操作
低条件损失
改进了栅极驱动器兼容性
更好的电流共享

特性

宽安全操作区 (SOA)
低 R_DS(on)
与线性 FET 相比，I_GSS 更低
优化传输特性

应用

电信基础设施, 电池管理系统（BMS）, 服务器电源解决方案

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	176 A
最高 IDpuls	704 A
QG (typ @10V)	165 nC
最高 RDS (on) (@10V)	2.1 mΩ
最高 VDS	100 V
VGS(th) 范围	2.3 V 至 3.9 V
VGS(th)	3.1 V
封装	D2PAK (TO-263)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
特殊功能	Wide SOA

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IPB021N10NM5LF2

OptiMOS ™ 5 Linear FET 2 技术实现了导通电阻和线性模式能力之间的最佳平衡。 IPB021N10NM5LF2 与 D2PAK 3 引脚封装相结合，专为浪涌电流保护应用而设计，例如热插拔、电子保险丝和电池管理系统 (BMS) 中的电池保护。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326