Infineon英飞凌_IRF150DM115_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRF150DM115 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

实现高功率密度设计
高效率
最小化EMI
优化散热
减少电路板空间
减少设备并联

特性

双面冷却封装
低寄生电感
低调设计
高电流能力
100% 无铅（无 RoHS 豁免）

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	60 A
QG (typ @10V)	33 nC
最高 RDS (on) (@10V)	11.3 mΩ
最高 VDS	150 V
VGS(th) 范围	3 V 至 4.6 V
VGS(th)	3.8 V
封装	DirectFET
工作温度范围	-40 °C 至 150 °C
极性	N
预算价格€/1k	1.26

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IRF150DM115

IRF150DM115

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