Infineon英飞凌_ISZ143N13NM6_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 ISZ143N13NM6 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

降低系统成本
减少并联需求
降低 V_DS 过冲和开关损耗
更高功率密度设计

特性

业界最低的 135 V 导通电阻 (R_DS(on)
低 V_gs(th) 跨度
超低反向恢复电荷 (Q_rr)

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	54 A
最高 IDpuls	216 A
QG (typ @10V)	21 nC
最高 RDS (on) (@10V)	14.3 mΩ
最高 VDS	135 V
VGS(th) 范围	2.5 V 至 3.5 V
VGS(th)	3 V
封装	PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
预算价格€/1k	0.96

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ISZ143N13NM6

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