Infineon英飞凌_IPT020N13NM6_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPT020N13NM6 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

降低系统成本
降低传导损耗并提高输出功率
减少并联需求
降低 V_DS 过冲和开关损耗
更高功率密度设计

特性

导通电阻降低高达 48%
栅极阈值电压扩展降低高达 38%
反向恢复电荷 (Q_rr) 减少高达 70%

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	297 A
QG (typ @10V)	159 nC
最高 RDS (on) (@10V)	2 mΩ
最高 VDS	135 V
VGS(th) 范围	2.5 V 至 3.5 V
VGS(th)	3 V
封装	TOLL (HSOF-8)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
预算价格€/1k	2.17

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