Infineon英飞凌_IPP029N15NM6_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPP029N15NM6 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

低传导和开关损耗
运行稳定，EMI 得到改善
并联时实现更好的电流共享
增强稳健性
灵活的机械装配
提高系统可靠性

特性

R_DS(on) 比 OptiMOS ™低 43％
FOM_g 比 OptiMOS ™ 5 低 20%
150 V 下业界最低的 Q_rr
与 OptiMOS ™ 5 相比，二极管软度得到改善
V_gs(th) 严格控制在 +/-500 mV 范围内
高雪崩强度
通孔封装
最大 T_j 为 175°C

应用

轻型电动车解决方案, Battery energy storage (BESS), 工业电源

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	197 A
最高 IDpuls	788 A
最高 Ptot	395 W
QG (typ @10V)	105 nC
最高 RDS (on) (@10V)	2.9 mΩ
最高 VDS	150 V
VGS(th) 范围	3 V 至 4 V
VGS(th)	3.5 V
封装	TO-220
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N

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IPP029N15NM6

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