Infineon英飞凌_IPT014N10N5_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPT014N10N5 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

更少的并联和冷却需求
最高的系统可靠性
降低系统成本
实现非常紧凑的设计

特性

最高电流能力 >360 A
输出电容减少高达 44%
低封装寄生效应和电感

应用

多旋翼飞机和无人机

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	362 A
最高 IDpuls	1448 A
最高 Ptot	375 W
QG (typ @10V)	169 nC
最高 RDS (on) (@10V)	1.4 mΩ
最高 VDS	100 V
VGS(th) 范围	2.2 V 至 3.8 V
VGS(th)	3 V
封装	TOLL (HSOF-8)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N

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IPT014N10N5

IPT014N10N5 是英飞凌的 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET，1.4 mOhm、100 V，采用 TO-Leadless (TOLL) 封装，高电流能力为 362 A（ID @25˚C）。TOLL 中的 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 适用于电动工具、轻型电动车和电池管理系统。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326