Infineon英飞凌_IPTG210N25NM3FD_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPTG210N25NM3FD 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

高性能
高系统可靠性
高效率和低 EMI
优化电路板利用率
高热循环电路板处理

特性

一流的技术
高额定电流 >300 A
低振铃和电压过冲
减少 60% 的电路板空间
鸥翼形引线

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	77 A
最高 IDpuls	308 A
最高 Ptot	375 W
QG (typ @10V)	65 nC
最高 RDS (on) (@10V)	21 mΩ
最高 VDS	250 V
VGS(th) 范围	2 V 至 4 V
VGS(th)	3 V
安装	SMT
封装	TOLG (HSOG-8)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
引脚数量	8 Pins
极性	N
蓄电池电压	144-200 V
预算价格€/1k	3.7

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IPTG210N25NM3FD

OptiMOS ™ 3 功率 MOSFET 250 V IPTG210N25NM3FD 采用改进的 TO 引线封装，带有鸥翼形引线。TOLG 的封装尺寸与 TO-Leadless 兼容，与 D2PAK 7 引脚相比，其电气性能出色，电路板空间减少约 60%，RDS(on) 非常低，并且针对处理大电流进行了优化。

产品详情

特性

参数

4000-306-326