Infineon英飞凌_IRF200P222_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRF200P222 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

增强的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性
完全表征的电容和雪崩 SOA
增强的体二极管 dv/dt 和 di/dt 能力
无铅，符合 RoHS 标准

应用

多旋翼飞机和无人机, 电信基础设施, 功率优化器解决方案, 工业 4.0 的工业机器人系统解决方案

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	182 A
最高 Ptot	556 W
Qgd	26 nC
QG (typ @10V)	135 nC
最高 RDS (on) (@10V)	6.6 mΩ
最高 RthJC	0.27 K/W
最高 Tj	175 °C
最高 VDS	200 V
VGS(th) 范围	2 V 至 4 V
VGS(th)	3 V
最高 VGS	20 V
安装	THT
封装	TO-247
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
蓄电池电压	96-140 V
预算价格€/1k	4.16

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IRF200P222

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