Infineon英飞凌_IPF015N10N5_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPF015N10N5 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

更少的并联和冷却需求
最高的系统可靠性
降低系统成本
低电压过冲

特性

极低的 R_DS(on)
O/P 电容减少高达 44%
行业标准封装

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	276 A
最高 IDpuls	1104 A
最高 Ptot	375 W
QG (typ @10V)	168 nC
最高 RDS (on) (@10V)	1.53 mΩ
最高 VDS	100 V
VGS(th) 范围	2.2 V 至 3.8 V
VGS(th)	3 V
封装	D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N

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IPF015N10N5

IPF015N10N5 是英飞凌的 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET，1.5 mOhm，100 V，采用行业标准 D²PAK 7 针封装。D²PAK 7 针封装的 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 适用于轻型电动汽车和电池管理系统。

产品详情

特性

参数

4000-306-326