Infineon英飞凌_IPB407N30N_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPB407N30N 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

最高效率和功率密度
减少电路板空间和系统成本
高系统可靠性
最佳开关性能
易于设计的产品

特性

快速二极管技术
业界最佳的 R _DS(on) >FOM 降低 58%
硬换向坚固性
优化的硬开关行为

应用

新能源汽车动力系统, DIN 导轨电源解决方案

参数

类型	描述
Ciss	5400 pF
Coss	281 pF
最高 ID (@25°C)	44 A
最高 IDpuls	176 A
最高 Ptot	300 W
QG (typ @10V)	65 nC
最高 RDS (on) (@10V)	40.7 mΩ
最高 RthJA	62 K/W
最高 RthJC	0.5 K/W
最高 VDS	300 V
VGS(th) 范围	2 V 至 4 V
VGS(th)	3 V
安装	SMD
封装	D2PAK (TO-263)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
引脚数量	3 Pins
极性	N
特殊功能	Fast Diode
蓄电池电压	144-200 V
预算价格€/1k	3.91

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IPB407N30N

OptiMOS ™ 300 V MOSFET 采用快速二极管技术，特别针对体二极管硬换向进行了优化。这些器件不仅表现出令人印象深刻的导通电阻 (R DS(on)) 和品质因数 (FOM)，而且还通过市场上最低的反向恢复电荷 (Q rr) 提供高系统可靠性。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326