Infineon英飞凌_IPC302N25N3_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPC302N25N3 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

最高效率
最高功率密度
最低电路板空间消耗
更少并联需求
系统成本改进
易于设计的产品
环保

特性

业界最低的 R _DS(on)
最低的 Qg 和 Qgd
全球最低的 FOM

参数

类型	描述
EAS/雪崩能量	40 mJ
RDS (on)	16 mΩ
最高 RDS (on) (@10V)	100 mΩ
最高 VBRDSS	250 V
VDS	250 V
最高 VDS	250 V
VGS(th) 范围	2 V 至 4 V
厚度	250
技术	OptiMOS™ 3
极性	N
模式	Enhancement
芯片尺寸 (Y)	4.5 mm
芯片尺寸 (Area)	30.15 mm²
芯片尺寸 (X)	6.7 mm
输出驱动器	1

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IPC302N25N3

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