Infineon英飞凌_IPC302N12N3_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPC302N12N3 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

提高效率
最高功率密度
减少并联需求
最小的电路板空间消耗
易于设计的产品
环保

特性

出色的开关性能
优异的 R _DS(on) 和 FOM
低 Q _g 和 Q _gd

参数

类型	描述
EAS/雪崩能量	45 mJ
RDS (on)	2.5 mΩ
最高 RDS (on) (@10V)	100 mΩ
最高 VBRDSS	120 V
VDS	120 V
最高 VDS	120 V
VGS(th) 范围	2 V 至 4 V
厚度	250
技术	OptiMOS™ 3
极性	N
模式	Enhancement
芯片尺寸 (-) 范围	4.5 mm² 至 6.7 mm²
芯片尺寸 (Area)	30.15 mm²
芯片尺寸 (Y)	4.5 mm
芯片尺寸 (X)	6.7 mm
输出驱动器	1

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IPC302N12N3

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