Infineon英飞凌_IRF7779L2_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRF7779L2 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

分布广泛
行业标准资质水平
高载流能力
最佳热性能
紧凑的外形
高效率
环保

特性

针对最广泛的可用性进行了优化
产品符合 JEDEC 认证
高额定电流
双面冷却能力
封装高度低至 0.7 毫米
寄生 (1-2 nH) 封装电感
100% 无铅（无 RoHS 豁免）

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	67 A
最高 Ptot (@ TA=25°C)	3.3 W
最高 Ptot	125 W
Qgd	33 nC
QG (typ @10V)	97 nC
最高 RDS (on) (@10V)	11 mΩ
最高 RthJC	1.2 K/W
最高 Tj	175 °C
最高 VDS	150 V
VGS(th) 范围	3 V 至 5 V
VGS(th)	4 V
最高 VGS	20 V
安装	SMD
封装	DirectFET (L)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
微型模板	IRF66L8-25
极性	N
湿度敏感等级	1
蓄电池电压	72-96 V
预算价格€/1k	2.44

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IRF7779L2

StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

产品详情

特性

参数

4000-306-326

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IRF7779L2

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