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IPC300N15N3R

在产

英飞凌的 OptiMOS ™ 100V、120V 和 150V 系列结合了非常低的导通电阻 (R DS(on)) 和最快的开关行为,为广泛的工业和消费应用提供出色的性能。从大电流电机控制应用到快速开关 DC-DC 转换器或 D 类音频放大器,英飞凌的产品均具有出色的性能、最高的效率和最小的空间要求。

Infineon英飞凌 IPC300N15N3R 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 提高效率
  • 最高功率密度
  • 减少并联需求
  • 最小的电路板空间消耗
  • 易于设计的产品
  • 环保

特性


  • 出色的开关性能
  • 优异的 R DS(on) 和 FOM
  • 低 Q g 和 Q gd

参数


类型

描述

EAS/雪崩能量

45 mJ

RDS (on)

4.9 mΩ

最高 RDS (on) (@10V)

100 mΩ

最高 VBRDSS

150 V

VDS

150 V

最高 VDS

150 V

VGS(th) 范围

2 V 至 4 V

厚度

250

技术

OptiMOS™ 3

极性

N

模式

Enhancement

芯片尺寸 (-) 范围

5 mm² 至 6 mm²

芯片尺寸 (Area)

30 mm²

芯片尺寸 (Y)

5 mm

芯片尺寸 (X)

6 mm

输出驱动器

1

预算价格€/1k

2.63

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    2026-04-14 330次
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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
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