Infineon英飞凌_IPC26N10NR_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPC26N10NR 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

提高效率
最高功率密度
减少并联需求
最小的电路板空间消耗
易于设计的产品
环保

特性

出色的开关性能
出色的 R _DS(on) 和 FOM
非常低的 Q _g 和 Q _gd

参数

类型	描述
EAS/雪崩能量	125 mJ
RDS (on)	3.2 mΩ
最高 VBRDSS	100 V
VDS	100 V
最高 VDS	100 V
VGS(th) 范围	2 V 至 4 V
厚度	250
技术	OptiMOS™ 2
极性	N
模式	Enhancement
芯片尺寸 (-) 范围	4.36 mm² 至 6 mm²
芯片尺寸 (Area)	26.16 mm²
芯片尺寸 (Y)	4.36 mm
芯片尺寸 (X)	6 mm
输出驱动器	1

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IPC26N10NR

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