Infineon英飞凌_IPC331N15NM5R_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPC331N15NM5R 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

最高系统效率
降低开关和传导损耗
减少并联需求
提高功率密度
降低电压过冲
并联 MOSFET 的栅极连接

特性

单片集成栅极电阻
针对模块应用进行了优化
超低恢复电荷 Qrr
超低输出电容 Coss
与上一代产品相比，RDS(on) 有所降低

参数

类型	描述
EAS/雪崩能量	70 mJ
RDS (on)	2.9 mΩ
VDS	150 V
最高 VDS	150 V
VGS(th) 范围	3 V 至 4.6 V
厚度	246
技术	OptiMOS™ 5
极性	N
模式	Enhancement
芯片尺寸 (X)	7.05 mm
芯片尺寸 (Y)	4.7 mm
芯片尺寸 (Area)	33.13 mm²

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IPC331N15NM5R

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