Infineon英飞凌_IPP129N10NF2S_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPP129N10NF2S 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

多供应商兼容性
合适的产品
支持各种各样的应用
标准引脚排列，可直接替换
提高电流承载能力
易于制造

特性

可从分销合作伙伴处获取
卓越的性价比
适用于高和低开关频率
行业标准尺寸封装
高额定电流
可进行波峰焊

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	52 A
最高 IDpuls	208 A
最高 Ptot	71 W
QG (typ @10V)	19 nC
最高 RDS (on) (@10V)	12.9 mΩ
最高 VDS	100 V
VGS(th) 范围	2.2 V 至 3.8 V
VGS(th)	3 V
安装	THT
封装	TO-220
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
引脚数量	3 Pins
极性	N
预算价格€/1k	0.47

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IPP129N10NF2S

英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 100 V 具有 12.9 mOhm 的低 RDS(on)，可满足从低开关频率到高开关频率的广泛应用。与之前的技术相比，IPP129N10NF2S 的 RDS(on) 降低了 40%，Qg 提高了 50% 以上。

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特性

参数

4000-306-326