Infineon英飞凌_IPT020N10N3_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPT020N10N3 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

更少的并联和冷却需求
最高的系统可靠性
降低系统成本
实现非常紧凑的设计

特性

业界最低的 R _DS(on)
最高电流能力 >480A
极低的封装寄生效应和电感

参数

类型	描述
Ciss	11200 pF
Coss	2010 pF
最高 ID (@25°C)	300 A
最高 IDpuls	1200 A
最高 Ptot	375 W
QG (typ @10V)	156 nC
最高 RDS (on) (@10V)	2 mΩ
最高 RthJA	62 K/W
最高 RthJC	0.4 K/W
Rth	0.4 K/W
最高 VDS	100 V
VGS(th) 范围	2 V 至 3.5 V
VGS(th)	2.7 V
封装	TOLL (HSOF-8)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
预算价格€/1k	1.78

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IPT020N10N3

英飞凌的 TO-Leadless 封装针对叉车、轻型电动车 (LEV)、POL（负载点）和电信等大电流应用进行了优化。PG-HSOF 是高功率应用的完美解决方案，此类应用需要最高的效率、出色的 EMI 行为、最佳的热行为以及减小的空间

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4000-306-326