Infineon英飞凌_IRFI4229_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRFI4229 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

分销合作伙伴广泛供应
行业标准资质水平
低频应用中的高性能
无需绝缘硬件

特性

针对分销合作伙伴最广泛的可用性进行了优化
产品符合 JEDEC 标准
针对低于 <100kHz 开关应用进行了硅片优化
隔离封装

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	19 A
最高 Ptot	46 W
Qgd	24 nC
QG (typ @10V)	73 nC
最高 RDS (on) (@10V)	46 mΩ
最高 RthJC	2.73 K/W
最高 Tj	150 °C
最高 VDS	250 V
VGS(th) 范围	3 V 至 5 V
VGS(th)	4 V
最高 VGS	30 V
安装	THT
封装	TO-220 FullPAK
极性	N

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IRFI4229

StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

产品详情

特性

参数

4000-306-326

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