Infineon英飞凌_IPI320N20N3 G_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPI320N20N3 G 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

最高效率
最高功率密度
最低电路板空间消耗
所需器件并联数量最少
系统成本改进
环保
易于设计的产品

特性

业界最低的 R_DS(on)
最低的 Q_g 和 Q_gd
全球最低的 FOM，符合 RoHS 标准 − 无卤素，MSL 1 级

参数

类型	描述
Ciss	1770 pF
Coss	135 pF
最高 ID (@25°C)	34 A
最高 IDpuls	136 A
最高 Ptot	136 W
QG (typ @10V)	22 nC
最高 RDS (on) (@10V)	32 mΩ
Rth	1.1 K/W
最高 VDS	200 V
VGS(th) 范围	2 V 至 4 V
VGS(th)	3 V
封装	I2PAK (TO-262)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
预算价格€/1k	1.35

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IPI320N20N3 G

英飞凌的 200V OptiMOS ™产品是性能领先的基准技术，非常适合 48V 系统中的同步整流、DC-DC 转换器、不间断电源 (UPS) 和直流电机驱动器的逆变器。

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参数

4000-306-326