Infineon英飞凌_IPB065N15N3 G_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPB065N15N3 G 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

环保
提高效率
最高功率密度
所需并联更少
最小的电路板空间消耗
易于设计的产品

特性

卓越的开关性能
全球最低的 R _DS(on)
低 Q _g 和 Q _gd
卓越的栅极电荷
符合 RoHS 标准 - 无卤素
MSL1 级

应用

DIN 导轨电源解决方案

参数

类型	描述
Ciss	5500 pF
Coss	640 pF
最高 ID (@25°C)	130 A
最高 IDpuls	520 A
最高 Ptot	300 W
QG (typ @10V)	70 nC
最高 RDS (on) (@10V)	6.5 mΩ
Rth	0.5 K/W
最高 VDS	150 V
VGS(th) 范围	2 V 至 4 V
VGS(th)	3 V
封装	D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
预算价格€/1k	2.5

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IPB065N15N3 G

与排名第二的竞争对手相比，150V OptiMOS ™的 R DS(on) 降低了 40%，品质因数 (FOM) 降低了 45%。这一重大改进开辟了新的可能性，例如从引线封装转向 SMD 封装或用一个 OptiMOS ™部件有效地替换两个旧部件。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326